随着硅微通道阵列在生产生活、医疗航天等应用领域的作用变得越来越重要,大家对利用成本低、方法比较简便的电化学腐蚀技术来制备微通道结构的关注度在明显上升。于是,对于硅微通道电化学腐蚀过程的机理研究被更加的重视起来,而在硅微通道电化学腐蚀过程中空穴的输运性质正是其中比较重要的一点。本文以硅相关特性为基础,阐述了光照辅助电化学腐蚀硅微通道阵列载流子的输运原理;说明了在半导体硅材料中存在的载流子输运机制的模型,如杂质散射机制和晶格振动散射机制的原理;通过改变光源的位置来控制照射到硅片上的光强,通过不同光强条件下的Mott-Schottky曲线得到相对应的平带电位,比较得出随着光强的降低,平带电位为负值且其绝对值也在减小,也就意味着光生空穴的产生变少了;通过对不同腐蚀电压条件下得到的硅微通道阵列的形貌进行比较与分析,根据通道形貌与空穴输运情况的相关关系,得出过高的腐蚀电压会导致输运的空穴量超出所需,而过低的电压又导致输运的空穴量不足,因而需要选择一个较为合适的腐蚀电压,大约在0.6V左右;通过对不同温度条件下平带电位的变化进行分析,得出温度的升高可以促进空穴的输运的结论,同时通过对不同温度条件下得到的硅微通道阵列形貌和进行比较与分析,根据通道形貌与空穴输运情况的相关关系,得出过高的温度会导致输运的空穴量超出所需,而过低的温度又导致输运的空穴量不足,因而需要选择一个较为合适的温度,大约在21℃左右。