光刻技术是人类迄今所能达到的精度最高的的加工技术，常规的光学光刻技术对微电子工业的迅速发展起了巨大的推动作用，但是由于光的衍射效应，常规光学光刻技术受到瑞利公式的限制受到严峻的挑战。电子束曝光是最近三十年发展起来的一种分辨率极高的微细加工技术，目前电子束曝光主要用于集成电路领域，集中在掩模板制造、直接曝光基片和研制纳米量级的量子效应及其它物理现象。　　 与常规的光学光刻技术相比，电子束曝光由于波长很短，只有nm量级，因此不受衍射效应的限制，可以达到很高的的分辨率，甚至达到原子量级。另外电子束曝光是无掩模直写型的，因此具有一定的灵活性，可以直接制作各种图形。相对于较高能量的电子束，低能电子束有它自己的特点。在低能情况下，入射电子能量越低，邻近效应越小，曝光效率越高，对衬底的损伤也越小。目前，低能电子束曝光的实验研究正日益受到人们的重视。　　 通过大量重复性实验寻求器件或结构的最佳工艺参数代价昂贵、周期长、不确定因素多，而且难以对光刻过程的机理准确理解。工艺模拟则很好地弥补了实验的不足，同时也方便设计者对设计的审查与改进，工艺模拟软件成为制造者与设计者之间的桥梁。　　 本文所进行的电子束曝光模拟，选取了传统的Monte Carlo方法并建立了电子散射模型以及沉积能量分布模型。在建模过程中，选用PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）光刻胶，Si、Au等为衬底，对于弹性散射采用更为准确的Mort散射截面描述，为了节省计算时间，采用Browning拟合公式计算；对于非弹性散射，采用Joy修正的Bethe能量损耗公式计算电子在固体中的能量损耗。　　 目前国内外电子束曝光模拟尚属于探索性研究，还没有一款通用的模拟工具出现。本文针对电子束曝光模型和模拟，在传统的曝光模型的基础上进行了适当的改进，使得模拟结果更为准确。本文给出了电子散射模拟结果和曝光后能量分布模拟结果，同时考虑了光刻胶的厚度、入射电子束能量、衬底等因素对结果的影响。