含晶界过渡族金属硫化物单层膜的挠曲电效应及水裂解性能研究

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自从石墨烯问世后,不同种类的二维材料被制备了出来,其中,单层过渡族金属硫化物(transition metal dichalcogenides,TMDs)以其优异的力学、物理和化学性质受到广泛的应用和关注。缺陷结构对单层TMDs的性质有着重要的影响,另外应变调控也是材料改性的有效方法之一,因此,本文通过基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了晶界对单层TMDs极化性能和电子结构的影响,计算了含晶界单层TMDs的压电系数以及不同应变作用下水分子在单层TMDs晶界处发生裂解的反应路径与反应能垒,提出了晶界对单层TMDs极化和水裂解析氢的影响机理。本文的主要研究内容如下:1.含晶界结构单层TMDs的挠曲电效应:基于第一性原理计算,计算了6种单层TMDs、6种含晶界单层TMDs、30种含有异质结构的单层TMDs和30种既含有晶界又含有异质结构的单层TMDs的压电系数dyy,发现晶界可以有效地增强单层TMDs的面内极化,这是由于晶界的存在导致体系发生了非均匀应变,即存在应变梯度,从而产生了面内的挠曲电效应。另外,相对原子质量越小的过渡金属元素与相对原子质量越大的硫族元素进行组合所得到的体系具有更强的极化和更大的应变梯度。2.含晶界单层TMDs表面的水裂解:运用第一性原理计算了不同应变条件下水分子在单层TMDs晶界处的吸附能以及发生裂解时的反应路径和反应能垒,发现晶界可以有效地促进水分子的吸附,降低水裂解析氢的反应能垒,并且随着应变的增大,能垒下降的越多。这是由于挠曲电效应会导致电荷产生非均匀分布,促使更多的电荷转移至晶界处的硫族原子上,增强硫族原子的极化,并且随着应变的增大,转移至晶界位置硫族元素的电荷就越多,并且吸附位点硫族原子的p轨道态密度峰值逐渐向费米能级附近移动,从而有助于水分子的吸附与裂解。另外,随着应变的增加吸附氢的自由能会逐渐降低,并且有趋近于零的趋势,这说明应变可以有效增强含晶界单层TMDs的析氢催化活性。
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