第三代半导体材料氮化镓（GaN）,由于其具有宽禁带、高电子饱和速率等优越特性,是目前研究的热点材料。GaN基器件的应用和推广,有赖于GaN外延材料质量的改善。在众多的改善材料性能的方法中,离子注入方法以其不可取代的优势,在区域掺杂隔离相邻器件、高电子迁移率晶体管（HEMT）的有源区的制备、基于自旋电子学理论的GaN稀磁半导体材料的研究中都得到了广泛的应用。基于上述原因,优化离子注入参数,探究离子注入对GaN材料相关特性的影响是推动GaN基半导体器件进步的关键,本文的主要研究内容与结论如下:（1）为了更好的认识和理解离子注入过程中,入射离子与靶材原子间的碰撞运动,通过SRIM仿真软件,模拟了离子打入靶材后的入射路径、能量损失及最后的粒子分布。通过改变离子注入时的各项参数,分析仿真计算的结果,结合现有的实验条件,分析确定出了最佳实验参数为:在100 ke V能量下,注入角度为7°,剂量分别为1×1015 cm-2和1×1016cm-2。（2）实验样品为使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）法制备的GaN薄膜。通过离子注入机对样品进行Fe、Mn离子注入。注入后分别在650℃、750℃和850℃的温度下进行快速退火处理。实验证明通过离子注入这一掺杂手段进行GaN材料的改性是可行的。同时通过对比不同温度处理后的样品得出了最佳的实验条件。（3）为了进一步了解离子注入对GaN材料的磁学特性的影响,使用振动样品磁强计（VSM）进行了测试。实验表明,Mn、Fe离子注入的GaN样品经过650℃退火处理后,都出现了较为明显的磁滞现象,样品表现出了明显的室温铁磁性。