纳秒脉冲放电具有高功率密度、高折合电场强度、高反应效率等优点，在脉冲等离子体领域具有广阔的发展空间。然而，由于纳秒脉冲特有的短脉冲条件，导致其具有很多与常规放电不同的放电特性，放电机理十分复杂，传统放电理论难以完全解释纳秒脉冲的放电现象。目前关于纳秒脉冲的放电假说说法不一，其共同点是都着眼于逃逸电子及其激发产生的X射线共同主导放电发展，但每种假说都尚不完善。因此，本论文旨在对于逃逸电子束流进行直接测量和研究，具有重要的理论意义和实际价值。　　本文基于纳秒脉冲源(脉宽3～5 ns，上升沿1.2～1.6 ns，输出电压幅值30～200kV)进行了逃逸电子束流的直接测量实验。测量使用自制的逃逸电子测量装置，在此基础上还进行了改善阻抗匹配的优化设计，并根据电路仿真进行校正;改进后的测量装置在测量脉宽和幅值方面都有所改善。通过测量逃逸电子束流波形、放电电压电流波形及放电图像研究逃逸电子特性，结果表明，可以得到脉宽小于1 ns，上升沿小于500 ps，幅值约几百mA的逃逸电子束流波形;放电图像表明该放电为典型的弥散放电;另外还实验研究气隙距离、气压、气体种类、阳极厚度等因素对于逃逸电子束流的影响，并探究了逃逸电子的能量分布。　　此外，本文还借助仿真手段探索基于高能电子逃逸击穿的放电机理。通过静电场仿真证明了逃逸电子产生的合理性;通过数值仿真模拟电子逃逸的发展过程，得到大气压气隙约10mm的条件下，逃逸阈值电压约为33 kV，随着气压升高，逃逸阈值电压呈现出先降低后升高的“U”型变化趋势，电子数目的变化趋势与之相反。以上述结果为基础，探讨基于逃逸电子的纳秒脉冲放电过程，并为实验数据提供补充。