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氧化镍(NiO)作为过渡金属氧化物是一种天然的P型宽禁带半导体,室温下禁带宽度在3.6eV～4.0eV之间,目前被广泛应用于探测器、太阳能电池、气敏传感器、电致变色等领域。为了解决碳化硅(SiC)双极型功率器件中P型SiC不完全电离而导致p+n发射结注入效率低的问题,本研究考虑使用P型的NiO与N型的SiC形成异质结作为发射结以提高结的注入效率。本论文基于溶胶凝胶法(Sol-gel)研究了 NiO薄膜的制备及锂(Li)掺杂技术,并对4H-SiC衬底上形成的NiO/SiC异质结的静态、动态光电特性进行了实验研究。主要的工作及研究成果如下:1.采用溶胶凝胶法成功制备出NiO薄膜并研究了溶胶中Ni2+的浓度、退火温度、退火时间对NiO薄膜表面形貌、晶粒大小、光学透射率以及光学带隙的影响。结果表明:当Ni2+浓度为0.5mol/L、退火温度为500℃、退火时间为1h时,制备的NiO薄膜表面致密连续,晶粒大小均匀,尺寸约为11nm,厚度约为130nm,可见光范围内透过率达到90%,光学带隙为3.75eV。2.探究了 Li掺杂对NiO薄膜性能的影响。结果表明:当Li掺杂浓度为10%时,NiO薄膜光学带隙减小至3.704eV,并且空穴浓度明显增大。3.研究了 NiO和SiC上欧姆电极的制备并成功制备出NiO/SiC异质结,分析了异质结的光电特性。结果表明:暗态下异质结呈现良好的整流特性,当外加偏压为±8V时,整流比可达81,异质结的开启电压在3.0V左右。当外加偏压为-7V,对异质结使用波长为365nm,光功率密度为340mW/cm2的紫外光照射时,异质结的光响应度为2.94mA/W,比探测率为2.0 × 1011 Jones,开关比为1474。4.分析研究了异质结的瞬态光电特性。结果表明:对异质结使用波长为365nm,光功率密度为340nW/cm2的紫外光照射时,异质结的上升时间τr=19.1ms,下降时间τf=87.8ms。