随着电机驱动系统对功率密度的要求,需通过提高功率半导体的开关频率来减小驱动模块的尺寸。宽禁带半导体器件,如碳化硅MOSFET,拥有更快的开关速度,将逐步取代传统的硅半导体器件。碳化硅MOSFET相比传统硅MOSFET具有更高的dv/dt与di/dt,在开关时域波形上产生振荡,是产生电磁干扰噪声的主要原因。因此,本文将对基于碳化硅MOSFET的电机驱动系统中的电磁干扰及其抑制方法进行研究,主要内容分为以下几个部分。第一,研究开关波形的建模方法。电磁干扰的源头是碳化硅MOSFET在开关过程中产生的脉冲波形,因此,本文针对碳化硅器件的开关波形进行建模来研究电磁干扰。根据当前学者对开关波形的建模方法,分析其优缺点,结合实际电路中的开关波形,提出一种更准确的开关波形的建模方法,并分析模型中的参数对噪声频谱的影响。第二,本文结合BUCK电路和同步BUCK电路,研究碳化硅MOSFET的电磁干扰特性。首先,本文在考虑了碳化硅MOSFET寄生参数的基础上,对开关过程进行了分析,并化简得到MOSFET完全导通和完全关断后的二阶RLC等效电路。根据等效电路,使用基尔霍夫电压定律得到二阶微分方程。对其求解后得到碳化硅MOSFET开关波形的时域表达式。通过傅里叶变换得到其频谱,并在不同频段求取最大值得到频谱包络。之后搭建BUCK电路仿真和实验平台,通过比较分析计算与仿真和实验得到的开关波形的时域波形与频谱,表明本文提出的分析模型能够较好地预测出同步BUCK电路中电磁干扰的变化趋势。最后,在同步BUCK电路的基础上,采用控制变量法,逐一改变不同的寄生参数,研究其对器件电磁干扰特性的影响。第三,对电机驱动系统电磁干扰的抑制方法进行了研究。本文采用RC缓冲电路、铁氧体磁珠、去耦电容等方法进行抑制。首先基于同步BUCK电路的等效模型,分析抑制方法的作用机理,并通过仿真进行验证。然后搭建电机驱动系统实验平台,在系统上加入这些抑制措施,比较加入前后电磁干扰的大小,验证抑制措施的有效性。