单壁碳纳米管(Single Walled Carbon Nanotube,SWN T)具有高迁移率、高柔韧性等特点备受关注,而采用SWNT溶液制备的单壁碳纳米管随机网络薄膜晶体管(Single Wall Carbon Nanotube Random Network Thin Film Transistor,SWNT-TFT)不仅继承了SWNT的特点,而且制备工艺简单、灵活,适合制备在各种不耐高温的柔性衬底上,在柔性、透明宏观电子应用领域展现出极大的潜力。本文针对溶液工艺的特点,选取聚酰亚胺(PI)作为柔性衬底、Ti/Au作为栅电极、Ti/Pd作为源漏电极、Al2O3/SiOx作为栅介质层、富含99%半导体型SWNT的溶液用于有源层制备。再对PI成膜、SWNT随机网络成膜、电极图形化等关键工艺步骤进行反复摸索,最终确定完备的工艺流程。对SWNT-TFT测试得到的输出特性、转移特性、栅漏电情况等数据进行分析,提出有针对性的工艺优化方案,包括PI成膜工艺优化、金属剥离工艺优化、栅介质改为SiOx/Al2O3/SiOx三层结构等。在一定程度上,主要解决了溶液工艺制备的SWNT-TFT良好性能比例低、大栅漏电引起电学特性异常等工艺相关问题,良好性能比例由6.6%提升至30%～37%。对v=50μm, L=10μm的SWNT-TFT性能进行分析,发现饱和电流约1.6μA微安,电流开关比约8760。针对SWNT-TFT的特点,本文通过Matlab软件对沟道中SWNT分布的随机性进行模拟,并提出了适用于描述低密度的SWNT-TFT的直流特性电流方程。并且在仿真中发现,在越低栅压情况,SWNT-TFT的直流特性越不受栅介质电容的影响,对柔性应用提供理论参考。