近年来,能源短缺和环境污染问题日趋严重,已成为全世界关注的焦点。作为解决这些问题最有前途的方案之一,半导体光催化技术已经引起了人们的极大关注,因为它是一种能源清洁无污染的“绿色”技术。但是单一的半导体光催化剂总会存在传质效率低、光生电子-空穴对复合较快等一系列问题,因此寻找一种有效途径来解决此类问题对光催化性能的提高具有深远意义。研究发现,半导体与其他物质（如其他半导体、金属、碳材料等）复合形成异质结构时,能够快速的转移光生载流子,有效提高传质效率,降低光生电子-空穴对的复合率,从而提高半导体的光催化性能。本论文以三氧化钨（WO₃）半导体材料为主体,通过简单的室温沉淀法、煅烧法与水热法等相结合,设计合成了两种半导体-半导体异质结光催化剂,并使用XRD、XPS、TEM、SEM、HRTEM、PL、UV-vis DRS等表征手段对其相结构、形貌以及光吸收等性质进行了分析,且以可见光照射下降解水中污染物为模型,对所制备的复合光催化材料的性能展开了一系列研究,具体结果如下:（1）通过结合简单的水热法和常温沉淀法,制备得到了Ag₂WO₄/WO₃纳米异质结复合光催化剂,并对其相结构、形貌及光吸收等性质进行了表征,结果表明,我们成功制备出不含杂质的Ag₂WO₄/WO₃纳米异质结复合光催化剂,Ag₂WO₄纳米粒子均匀分散在WO₃表面,且复合光催化剂在可见光区具有较好的光吸收。通过可见光照射下催化降解污染物RhB和MO,我们对Ag₂WO₄/WO₃纳米异质结光催化剂的性能进行了研究,并对其光催化机理以及循环稳定性进行了探究。研究结果表明,Ag₂WO₄/WO₃纳米异质结光催化剂具有良好的光催化活性和循环稳定性,光催化降解过程中的主要活性物种为h⁺和·OH。（2）通过结合简单的煅烧法和水热法,制备得到了WO₃/g-C₃N₄纳米异质结复合光催化剂,并对其相结构、形貌及光吸收等性质进行了基本表征,结果表明,我们制备得到了WO₃/g-C₃N₄纳米异质结复合光催化剂,WO₃纳米片与g-C₃N₄纳米片接触形成有效的异质结,且催化剂在可见光范围内有良好的吸收。通过可见光照射下催化降解污染物RhB,我们对WO₃/g-C₃N₄纳米异质结材料的光催化性能进行了研究,并对其光催化机理以及循环稳定性进行了探讨。研究结果表明,WO₃/g-C₃N₄纳米异质结具有良好的光催化性能和循环稳定性,光催化降解污染物的过程中采用的是Z型异质结跃迁方式,其中起主要作用的活性物种为·O₂^-和·OH。