微悬浮结构因可以有效地避免与基底之间的相互影响及热传递，并增大与周围环境的接触面积，而在MEMS领域中拥有广泛的需求。在C-MEMS工艺基础之上，提出了一种在微结构之间制造碳悬浮结构的方法。设计形状与微结构位置相适应的掩膜板；利用套刻工艺将掩膜板位置与微结构位置对应起来，利用光刻过程中掩膜板导致的衍射效应，通过控制曝光时间，则可在生成SU-8胶悬浮结构的同时将其与底部微结构结合起来；通过热解，SU-8胶悬浮结构转变为碳悬浮结构，拥有较好的电性能。这种工艺仅包括紫外光刻和热解SU-8胶两个步骤，与传统方法相比，这种方法所用操作简便；紫外光刻与光刻胶热解技术均为成熟工艺；则操作的成本较低。对碳悬浮结构电性能进行了测试。利用光刻结合磁控溅射制造有一定间隙的铜电极对；并在铜电极上制造碳悬浮结构。在铜电极两端通电构成回路，测试了碳悬浮结构的电阻与电阻-温度特性。