【摘 要】
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该文采用等离子体增强化学气相沉积(Plasmaenhancedchemicalvapordeposition,PECVD)系统,用甲烷、氢气、氩气的混合气体作为反应气体,在射频功率源激励下制备出了类金刚石膜.
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该文采用等离子体增强化学气相沉积(Plasmaenhancedchemicalvapordeposition,PECVD)系统,用甲烷、氢气、氩气的混合气体作为反应气体,在射频功率源激励下制备出了类金刚石膜.在做工艺实验时,选定极板间距、射频功率、气体流量比、工作气压、衬底偏压、加热温度作为工艺参数,以高阻测量仪测得的薄膜电阻率为表征参数,得到了最佳的制备工艺.工艺参数为:甲烷(3sccm)、氢气(3sccm)、氩气(2sccm)极板间距(30mm)、射频功率(60w)、工作气压(0.065mmHg)衬底偏压(-150V)、加热温度(60℃)沉积时间(1h).辐照分别采用氧等离子体型和原子氧型地面模拟设备.该文首次研究了原子氧辐照对类金刚石膜结构、性能、形貌的影响,并认为辐照后膜中sp<3>C-C、sp<2>C=C和sp<3>CH<,n(n=1,2,3)>相对含量的变化是导致膜电阻率、折射率等物理性质发生变化的根本原因.
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