20世纪80年代末期和90年代初期发展起来的功率MOSFET和IGBT为代表的集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件研制成功,并得到急剧发展和商业化,标志着传统电力电子技术已经进人现代电力电子时代。新型电力电子器件,如GTO,MCT,IGBT等,都需要一个与之并联的快速恢复二极管(FRD),以通过负载中的无功电流,减小电容的充电时间,同时抑制因负载电流瞬时反向而感应的高电压。国外在FRD产品的研发上起步较早,于90年代就已实现批量生产,国内电力电子行业对于新型电力电子器件应用起步较晚,受到市场和技术等因素的限制,未能掌握生产FRD芯片的关键生产工艺和技术。基于国内生产的FRD主要集中在600～1200V的现状,本课题采用对1700V器件作结构和流程仿真设计和优化,通过在生产线上工艺流程技术建立与开发,结果反馈到器件优化验证中,不断完善设计方案,充分运用产学研结合的方式,对1700V器件结构的模拟设计和工艺技术的研究和优化,解决目前国内在超高压IGBT配对FRD批量生产方面的技术问题。通过本课题的研究开发出国内自主的1700V快恢复二极管,为我国自主生产1700V快恢复二极管提供自主技术保障,提高了国内该项自有技术水平,为国家IGBT及配套FRD产业化打下坚实基础。