【摘 要】
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随着现代科技的发展,微电子技术和计算机技术飞速发展,对高速、高容量新材料的需求越来越迫切。钙钛矿结构铁电材料因为其较高的介电性质、巨大的调谐性和相对较低的损耗,成为最
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随着现代科技的发展,微电子技术和计算机技术飞速发展,对高速、高容量新材料的需求越来越迫切。钙钛矿结构铁电材料因为其较高的介电性质、巨大的调谐性和相对较低的损耗,成为最引人关注的铁电材料,为微电子设备和微波装置性能的改进提供了可能。BaxSr1-xTiO3(BST)材料作为纯的BaTiO3和SrTiO3的复合物,其性质是由两种材料综合决定。当量子顺电体SrTiO3中掺入适当浓度的铁电体BaTiO3时,将会引入铁电性,出现由杂质诱发的顺电-铁电相变,因此BaxSr1-xTiO3根据材料中所含BaTiO3浓度的多少将表现出顺电和铁电两种不同的结构相。SrTiO3因为量子涨落的抑制作用即使在接近OK时仍然没有表现出铁电-顺电相变,但BaTiO3的居里温度达到400K,通过调整合适的Ba2+和Sr2+的复合比例可以使BaxSr1-xTiO3薄膜获得满足不同要求的温度特征,例如Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜,其居里温度为280K,这将有利于在室温时获得巨大的介电常数。但对于外延BaxSr1-xTiO3薄膜因为其组分和微结构的不均匀性,薄膜内部的缺陷,以及基底和薄膜之间的晶格失配应变,导致外延薄膜产生许多有别于体材料和单晶材料的热力学性质。 应变是影响外延铁电薄膜的本征机制,内部应变包括正应变和剪应变,而正应变有张应变和压应变之分。当基底晶格参数大于薄膜晶格参数时,材料内部会产生张应变;基底晶格参数小于薄膜晶格参数时,意味着压应变的出现。当铁电材料外延生长于较厚的基底上时,剪应变的影响可以忽略。因为内部应变的影响,外延BaTiO3薄膜将出现五个低温结构相,这有别于体材料的三个结构相,类似的影响也存在于外延的PbZrO3薄膜中。当外延铁电薄膜生长在非立方基底上时,平面内双轴应变各向异性,导致平衡极化态的改变,从而产生新的相,这些相并不存在于生长在立方基底上的薄膜之中。 本文在朗道-德文希尔唯象模型的基础上,通过计入薄膜内部应变和自发极化,考虑了铁电序参量和应力之间的耦合作用,并运用了应力边界条件,获得了外延单畴的Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜生长在较厚的立方基底MgO和LaAlO3上时,应变对处于四
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