TiC薄膜与其他薄膜材料相比,不易与铝发生黏着,比较适合做铝合金挤压模具的表面薄膜材料。反应磁控溅射是制备TiC薄膜的常用技术,研究发现,在不同工艺条件下反应气体流量对TiC薄膜的结构和性能影响有较大差异。等离子体增强磁控溅射技术（PEMS）相对于传统磁控溅射技术（CMS）,显著增加了真空室内的等离子体密度、反应气体离化率、离子轰击强度。本文采用CMS和PEMS在不同CH4气体流量下制备出不同的TiC薄膜,研究同种工艺条件下不同CH4气体流量制备出的TiC薄膜的结构和性能差异;并研究CMS和PEMS在相同CH4气体流量下制备出的TiC薄膜的结构和性能差异。结果发现:（1）CMS工艺薄膜随着CH4流量的增加,沉积工作气压逐渐升高、薄膜沉积速率逐渐降低、薄膜C/Ti逐渐增加,薄膜晶体结构从（111）晶面择优取向变为（111）和（200）择优取向、且薄膜柱状晶越来越致密、表面微凸体织构越来越细密化。随着CH4流量的增加,薄膜H和E先增加后降低,在CH4流量为12 sccm时H、E、H/E、H~3/E~2均达到最大。随着CH4流量的增加,摩擦系数逐渐增加,且薄膜磨损率在H/E、H~3/E~2最大时达到最小值。（2）PEMS工艺薄膜随着CH4流量的增加,沉积工作气压逐渐升高、沉积速率先降低后升高、薄膜C/Ti均逐渐增加、薄膜晶体结构始终出现（111）择优取向、薄膜截面形貌由柱状晶逐渐向“玻璃态”转变、且表面始终出现光滑致密形貌。随着CH4流量的增加,薄膜H和E先增加后降低,在CH4流量为12 sccm时H、E达到最大,在CH4流量为14 sccm时H/E、H~3/E~2达到最大。随着CH4流量的增加,薄膜摩擦系数先升高后降低,且薄膜磨损率在H/E、H~3/E~2最大时达到最小值。（3）对比发现,随着CH4气体流量的增加,CMS薄膜沉积速率逐渐降低,而PEMS薄膜沉积速率先降低后升高;在相同CH4气体流量时PEMS工艺薄膜的C含量更高;CMS工艺薄膜从（111）晶面取向变为（111）和（200）取向,薄膜柱状晶越来越致密,且表面微凸体织构越来越细密化,而PEMS薄膜始终出现（111）择优取向,截面形貌由柱状晶逐渐向“玻璃态”转变,且表面始终出现光滑致密形貌;CMS薄膜在CH4气体流量为12 sccm时H、E、H/E、H~3/E~2均达到最大、磨损率达到最小,而PEMS薄膜在CH4气体流量为12 sccm时H、E达到最大,在CH4气体流量为14 sccm时H/E、H~3/E~2达到最大、磨损率达到最小。