低维纳米结构是当前纳米科学与技术领域一个重要的研究方向。自从1991年纳米碳管被日本NEC公司的Iijima教授发现后,已经对低维维纳米材料进行了大量广泛而深入的研究。它不仅对理解基本的物理现象具有重要意义,而且作为功能模块在构筑纳米器件方面具有极大的应用潜力,在光学、光电、催化、压电等领域有着独特而新颖的应用。ZnO和GaN作为宽禁带直接带隙半导体材料,有着丰富的结构和独特的性能,有着广泛的应用前景,因而目前ZnO和GaN材料,包括低维结构,成为研究的一大热点。 本文在综述目前ZnO和GaN一维纳米材料的制备方法的基础上,选择用热蒸发法成功制备出ZnO一维纳米结构,用MOCVD方法制备了GaN一维纳米结构,讨论了其形成机理,并对其性质进行了表征。主要研究内容和成果如下: （1） 应用热蒸发方法在无催化剂条件下制备ZnO各种新型纳米结构,摸索出制备ZnO一维纳米结构的基本条件。其中温度和气体流量是生长中最为关键的两个因素; （2） 用热蒸发法了成功实现了掺Al的ZnO纳米棒的制备:测试表明Al元素进入了ZnO,且在ZnO中作为深能级杂质,反映在PL谱中; （3） 用Zn和CdCl₂作为原料,首次通过热蒸发法在镀金的Si衬底上制备了准阵列化的ZnCdO纳米棒。最大Cd含量达到16.7at.%,远大于Cd在ZnO体材料中的固溶度。观察到带边发光有显著的红移（从3.21eV到3.04eV）,说明了Cd掺杂对ZnO在能带调制中的作用; （4） 研究了纳米棒的拉曼光谱,说明了拉曼光谱中各种模式的频移与材料中应力的关系; （5） 实验采用三甲基镓（TMG）为镓源,高纯蓝氨（NH₃）为氮源,Ni（NO₃）₂作为催化剂前驱体,用MOCVD方法制备了GaN一维纳米材料,实验结果为国内首次使用MOCVD系统通过Ni催化法在Si衬底成功制备出GaN一维纳米结构。