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随着信息科学的迅猛发展,人们对存储器的存储密度和存储容量的要求也在不断提高。在众多类型的半导体存储器中,相变存储器(PCRAM)被认为是最有可能取代静态随机存储器(SRAM)、动态随机存储器(DRAM)和闪存(FLASH)等当今主流产品,并最先成为商用产品的下一代半导体存储器件。关于如何提高PCRAM的存储性能,目前最主要的研究方向之一是降低存储器的电流和功耗,而主要手段是从材料和器件结构两个方面来进行改善。对于相变材料本身来讲,必须深入研究目前较为成熟的SbTe/GeSbTe系合金材料的光电性质,