四烷基氢氧化鏻因稳定性能好且毒性小等优良特质在电路板的清洗、蚀刻工艺和显影剂等方面有着更加广阔的应用前景。随着电子工业的迅速发展和半导体装置的高度集约化,在未来对电子级四烷基氢氧化鏻的需求将迅速增大。目前,对四烷基氢氧化鏻的相关研究较少,其制备方法大都采用化学法来合成,鉴于离子膜电解法在四烷基氢氧化铵成功合成的基础上,为此,本论文探讨了采用离子膜电解法来制备四烷基氢氧化鏻的可行性,并对电解工艺因素及影响其纯度的工艺条件进行了系统研究。论文采用离子膜电解法,以四甲基溴化鏻为原料制备了四甲基氢氧化鏻。实验中首先探究了碳毡、石墨、涂层钛等电极对Br2/Br-电对的氧化还原反应的峰电流的影响。实验结果表明,碳毡电极对Br2/Br-电对的还原峰电流的响应较大,且对碳毡电极进行500℃热处理,有利于提高电极的活性。其次还探究了Nafion115阳膜、Nafion117阳膜、NepemN115阳膜、JCM-II阳膜、QQ-YLM001阳膜、微孔膜以及JCM-II阴膜等隔膜对电解中的槽电压的影响,实验发现,JCM-II阳膜是电解四甲基氢氧化鏻较佳的离子膜。最后探究了通电量、原料浓度、电流密度等电解因素对电合成过程中的电流效率和能耗的影响。通过实验发现,当原料浓度为0.75mol.L-1、电流密度为40mA.cm-2、通电量为理论电量的60%时,得到了较好的电流效率、较低的能耗以及较快的电解速率。在该条件下,其电流效率为74.67%、能耗为2.67kW.h.Kg-1、电解速率为8.36×10-5mol.min-1。红外光谱和核磁共振表征结果表明,电解所得产品为四甲基氢氧化鏻。在此基础上,还对阴、阳离子膜分隔的电解槽中,具有不同烷基链长度的四烷基溴化鏻的电解性能进行了研究。结果发现,由于烷基链增长导到正离子尺寸变大,正离子通过隔膜的阻力也随着增大,从而使得在阳膜分隔的电解槽中电解四烷基溴化鏻时,随着烷基链长度的增加,电流效率下降、能耗增加以及电解速率降低;实验中还发现,采用阴离子膜分隔的电解槽电解四烷基溴化鏻具有较低的槽压,但由于该电解方式上,反应物与产物均处于阴极室,产物的分离、提纯难度大,不适于制备高纯度的产物。实验中还探究了电解条件对产品纯度的影响,并采用离子色谱对其进行了检测。结果发现隔膜类型、电解时间、电流密度等均对溴离子的含量有较大影响。在JCM-Ⅱ均相阳离子交换膜下,当电解时间为理论时间的60%、电流密度为60mA.cm-2时,溴离子的透过率较少。这为四烷基氢氧化鏻的电合成工艺条件的优化、生产过程控制及产品质量监测提供了技术保障。