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ZnO是一种直接带隙宽禁带半导体材料，具有较高的激子束缚能，优良的光电性能，良好的气敏压敏性能及较高的化学稳定性和热稳定性等。自然状态下，本征ZnO薄膜的电学和光学性能低，因此通过掺杂和优化制备工艺条件等手段可以改善ZnO薄膜的光电性能，使其应用于光电器件领域。本文采用溶胶-凝胶法和改进Pechini法在石英玻璃基底上分别制备了Al掺杂、Mg掺杂、Mg-Al共掺杂ZnO薄膜及其复合薄膜。研究了产物的结构、表面形貌及光学性能。主要研究内容及结果如下：(1)研究了溶胶浓度、Al掺杂量、退火温度及薄膜厚度对Al-ZnO(AZO)薄膜微观结构及光学性能的影响。结果表明：Al掺杂并未改变ZnO薄膜的晶体结构，且其结晶质量随Al掺杂浓度的增加而降低。在可见光区域内，AZO薄膜的平均光学透过率在90%以上。当Al掺杂浓度从0%增加到9%时，AZO薄膜的光学带隙从3.283eV增加到3.352eV。室温下的PL谱表明AZO薄膜的缺陷发射峰随Al掺杂浓度的增加从610nm的橙光蓝移到584nm的黄光。(2)研究了溶胶浓度、Al掺杂量、退火温度及薄膜厚度对Mg-Al-ZnO(MAZO)薄膜结构及光学性能的影响。结果表明：Al、Mg共掺杂也未改变ZnO薄膜的晶体结构，产物薄膜随退火温度的增加而沿（101）晶面择优取向生长，且晶粒尺寸从20.58nm增大到42.26nm。EDS谱表明MAZO薄膜含有Zn、Mg、Al、O元素。当退火温度从500C增加到800C时，MAZO薄膜的光学带隙从3.348eV减小到3.304eV。室温下的PL谱表明随退火温度的增加，紫外发射峰从372nm红移到379nm，而可见光发射峰从598nm的黄橙光蓝移到527nm的绿光。(3)研究了MAZO/ZnO及MAZO/AZO多层薄膜的微观结构及光学性能。结果表明：MAZO/AZO复合薄膜具有沿（002）晶面方向择优取向生长特性。该种复合薄膜在可见光区的平均光学透过率仍在90%以上，但明显地抑制了可见光区的光发射，并促进了产物的紫外发光。(4)采用改进Pechini法在石英玻璃上制备了Mg-ZnO(MZO)薄膜。结果表明：低于10%浓度的Mg掺杂ZnO薄膜均具有六方纤锌矿结构，且随Mg离子掺杂量的增加，(002)衍射峰向高角方向移动。在可见光区域内，MZO薄膜的平均光学透过率在90%以上。光学带隙随Mg离子掺杂量的增加从3.36eV增大到3.66eV。室温下的PL谱表明当Mg掺杂浓度从3%增加到10%时，MZO薄膜的绿光发射峰从522nm红移到550nm，且绿光发射峰强度逐渐增强。