近年来，移动互联网的快速兴起和无线通信设备的迅猛普及，导致对无线通信中数据的传输速率要求也越来越高。射频微波通信芯片作为支持高速率无线通信系统的基础硬件，也逐渐受到了人们的关注。伴随着CMOS工艺的不断发展，利用 CMOS工艺设计的毫米波芯片在性能上越来越强，同时CMOS工艺功耗和成本更具竞争力。因此，研究设计出高性能、高速率的CMOS通信芯片对发展高速无线通信网络十分重要。　　低噪声放大器是无线通信芯片中重要的模块，低噪声放大器的性能在一定程度上决定了无线系统的通信质量，因此设计出高性能的低噪声放大器是进行通信芯片设计的关键。本篇文章首先对毫米波集成电路的研究进展做了总结，并且对CMOS电路和低噪声放大器的一些基本概念做了基本分析和探讨，论文介绍了毫米波电路应用频段由低频到高频的发展过程以及毫米波的发展趋势。并且基于TSMC90nm CMOS工艺设计了一款工作于60G Hz的低噪声放大器，功耗为24 mW，噪声系数为7dB，增益为15dB。