氧化物半导体薄膜晶体管（TFT）在消费级电子产品中占有的市场逐步扩大,消费者对显示设备的分辨率、刷新率的需求日益提高,使用氧化物TFT用于像素单元驱动与控制的市场潜力巨大。目前以氧化物薄膜晶体管作为显示驱动的设备造价颇高,还没有普及到普通消费者市场。ZnO材料的自然储量丰富,价格低廉,环保无毒,使用ZnO材料制备薄膜晶体管可以降低工业成本。但ZnO薄膜晶体管普遍存在不稳定现象,制约其成为工业化、市场化的产品。本论文主要研究分析了ZnO薄膜晶体管转移特性曲线出现滞回现象的原因与降低滞回现象的方法。实验使用射频磁控溅射的方法制备ZnO薄膜作为沟道层,以Si O₂作为栅介电层,使用电子束蒸发蒸镀Al或热蒸发台蒸镀Pt作为源/漏电极,并且使用湿法刻蚀进行图案化制成薄膜晶体管。分别从沟道层半导体、沟道层表面、沟道层/栅介电层界面三方面进行分析与优化,内容如下:1.制备ZnO TFT并改变退火气氛,分别使用N₂、O₂、空气进行300℃退火15分钟,并有一TFT未进行退火。使用N₂退火的TFT滞回现象最小,阈值电压偏移ΔV_TH为0.2V。2.使用3%浓度过氧化氢溶液处理制备出的ZnO沟道层薄膜,处理时间分别为0s、5s、15s、30s,处理后的ZnO薄膜表面氧空位缺陷明显降低,减少O₂吸附的结合位点,从而降低由氧气吸附造成的载流子俘获。弱化了转移特性曲线的顺时针滞回现象。3.通过改变溅射时的氧分压,制备富氧/低氧双沟道层ZnO薄膜材料TFT。通过在沟道层/栅介电层界面插入富氧ZnO薄层作为载流子传输通道,并且由于上下层载流子浓度出现梯度,非平衡载流子填充电荷陷阱降低转移特性曲线顺时针滞回现象。