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YBCO高温超导薄膜在高性能微波无源器件有着良好的应用前景,而大面积双面薄膜的制备在满足批量生产及多器件集成的同时,能够进一步提高微波无源器件的性能。本论文在?2"双面YBCO薄膜制备工艺的基础上探讨?3"双面薄膜的制备工艺。在溅射沉积方法的真空热传递环境中,溅射气体的热传导比加热器的辐射热传递小3个数量级,可以忽略不计。在此基础上,本论文首先建立了辐射热传递模型,评估加热器热场分布的均匀性,并针对?3"双面薄膜的制备,提出双功率输入、热场可调的筒形加热器设计,成功实现了对?3"双轴旋转基片的均匀加热,加热器的面内温度差小于±5℃.分析了溅射方法中溅射粒子的空间传质过程,Y、Ba、Cu粒子在36Pa的Ar气中输运的平均自由程小于0.7mm,粒子离开靶材后其能量迅速衰减至热运动能,因此溅射粒子在溅射气氛中主要以扩散方式进行传播。基于扩散传质机理建立了薄膜膜厚计算模型,并结合实验测试,对?3"薄膜膜厚分布的均匀性进行了分析。提出了调速双轴旋转机构,在不降低沉积速率的前提下,成功的实现了?3"薄膜的膜厚均匀分布,膜厚偏差小于5%.与此同时,本论文对?3"薄膜样品的结构性能及电性能进行了分析。在?3"范围内样品均是严格的c轴外延取向,FWHMYBCO(005) < 0.3o. 电性能测试结果:TC值分布在89.8~90.2K,jC值主要分布在2.14~2.50MA/cm2,RS (145GHz,75K)主要分布在50~75m?,RS的平均值为0.6m?(8.5GHz,77K),表明性能样品性能良好。针对大面积薄膜溅射沉积的特殊环境,对YBCO薄膜的生长机理进行了初步探讨,发现在720℃~800℃温度范围内,YBCO薄膜生长初期均是沿c轴外延生长。较高的沉积温度以及双轴旋转基片边缘的温度波动有助于提高薄膜生长初期的成核密度。采用最佳生长工艺条件,在薄膜生长过程中能够观察到明显的螺旋生长模式和具有YBCO单胞高度的台阶。