二氧化锡（SnO₂）是一种常规的N型半导体金属氧化物,晶体结构有四方、六方和斜方晶系,广泛用在电子元器件和传感器方面。由于SnO₂的带隙较宽（Eg=3.6 e V、T=300 K）,导致其在光电催化领域应用受限。因此,如何改性提高SnO₂的光电催化效率和光电响应值,成为光催化领域重要课题之一。非金属掺杂可改善半导体材料的光电催化性能。文中以CH3NH3I作为掺杂碳源,Sn Cl2.2H2O为原料,DMF为溶剂,采用低温环保的溶剂热法制备C掺杂的SnO₂材料。使用扫描电子显微镜（SEM）、X-射线衍射（XRD）、X-射线光电子能谱（XPS）等手段对其结构、物相、表面形貌进行了表征分析。在模拟太阳光照射下研究C掺杂SnO₂和SnO₂的催化水分解、降解甲基橙和苯酚等性能。根据实验数据的分析,得到如下主要结论:（1）溶剂热法可以制备出C掺杂SnO₂半导体材料。该材料由100nm左右的纳米颗粒组成。实验发现溶剂热法的反应温度、反应时间、反应溶剂对C掺杂SnO₂光电流密度有较大的影响:溶剂热反应温度为150 oC时光电流密度最高（0.5013 m A/cm2）,溶剂热的反应时间最适宜为15 h,DMF作为反应溶剂效果较好。这种C掺杂SnO₂的制备工艺具有低温、节能、无污染的优点,对SnO₂的合成有一定的借鉴意义。（2）XPS数据说明C元素替代SnO₂晶格O导致材料中氧空位浓度增加;面扫EDS显示C掺杂SnO₂中C的分布均匀,没有明显分层现象;XRD图谱中未出现Sn Cl2和CH3NH3I的衍射峰,说明在反应过程中反应物基本都转化成了目标产物;C掺杂SnO₂化学性质稳定,其在光电催化前后XRD衍射峰与标准SnO₂衍射峰基本吻合。材料的紫外可见吸收光谱显示C掺杂SnO₂的吸收曲线发生明显红移,说明材料在可见光区域吸收增加。（3）C掺杂SnO₂光电阳极在模拟太阳光照射下（AM 1.5G）,光电流可以达到0.15 m A/cm2（0 V vs Ag/Ag Cl）。本实验所得C掺杂SnO₂比直接氧化法制备的SnO₂的光电流密度（<2×10-3 m A/cm2在0 V vs Ag/Ag Cl）高出2个数量级。（4）在模拟太阳光下甲基橙和苯酚的光催化降解研究中,发现C掺杂SnO₂材料比纯SnO₂粉末的降解速率提高了3倍。从光催化降解循环实验看出,C掺杂SnO₂材料具有较好的循环和重复性。在光电催化水分解产氢中,实验结果表明C掺杂SnO₂在模拟太阳光的照射下催化水分解产生氢气速率为7.08μmol/h?cm2。