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碳化硅(SiC)是宽禁带半导体材料,由于其在蓝绿色发光二极管和紫外光电探测器等光电器件方面具有潜在的应用能力,近年来得到了广泛的研究。但由于SiC 的间接禁带特性,只能在低温下获得SiC 在480nm处的微弱蓝光,用SiC 制备的LED 发蓝光的量子效率仅为1×10-4,发光效率只有1.4×10-4lm/W。为了提高SiC 材料的发光效率,用电化学的方法制备出了多孔SiC,并在室温下获得了强的可见光发射。但因为多孔SiC 的稳定性和重复性较差,加上其制备过程基于电化学腐蚀,与硅平面工艺不能兼容,限制了其在光电子器件方面的应用。最近,纳米复合薄膜由于具有传统复合材料和现代纳米材料两者的优越性,正成为纳米材料的重要分支而越来越引起广泛的重视和深入的研究。尤其是硅基半导体纳米颗粒/绝缘介质镶嵌结构复合薄膜,由于纳米粒子的引入,基于量子尺寸效应产生光学能隙宽化,辐射复合率增加,可见光光致发光增强,薄膜稳定性大大高于多孔硅,工艺上又可与硅集成电路兼容,故日益成为关注焦点。因而制备硅基SiC/SiO2 镶嵌结构复合薄膜新型的光电材料,对光电子器件和大规模光电集成电路(OEIC)的发展有着重要的意义。本论文介绍了采用SiC/SiO2 复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在n 型(111)Si 片上制备出了SiC/SiO2 镶嵌结构纳米复合薄膜。并应用X 射线衍射(XRD),傅里叶红外透射(FTIR),X 射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)等测试技术分析了薄膜的结构、表面形貌以及光致发光性能。结果表明:未退火复合薄膜样品中的SiO2 和SiC 主要以无定形态形式存在,经900℃高温退火30min 后,样品发生部分晶化,形成了颗粒尺寸较小的α-SiC,而后随着退火温度的进一步升高,α-SiC 逐步发生相变,转化为晶态β-SiC 而镶嵌在SiO2 基质当中。在室温下用280nm 波长的光激发样品表面,显示出较强的365nm