超导量子干涉器件特性与噪声机理研究

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超导量子干涉器件(Superconducting QUantum Interference Devices,SQUIDs)被认为是当今最灵敏的磁通传感器,其探测频率可以从准直流到几十GHz。它可作为磁强计、梯度计、电压和电流计等,用于检测任意能转换为磁通信号的微弱物理量。具体来说,SQUID的实际应用包括:重力波检测、磁化率检测仪、生物磁探测、无损检测与评估以及磁共振成像等。  为了充分利用SQUID的高灵敏度特性,需要使用一个低噪的室温运算放大器来读出信号。传统的读出电路采用磁通调制(Flux modulation,FM)的办法,通过一个低温变压器来实现SQUID与前置放大器之间的阻抗匹配,然后利用磁通锁定环(Flux-LockedLoop,FLL)实现SQUID信号低噪和线性化的读出。带附加反馈电路的直读电路,如附加正反馈(Additional Positive Feedback,APF)、噪声消除(Noise Cancellation,NC)、自举电路(SQUID Bootstrap Circuit,SBC)等,因省去了磁通调制和低温阻抗匹配电路,使得读出电路大为简化,在多通道SQUID系统应用中,其优势尤为突出。近年来,大旁路电阻欠阻尼SQUID开始引起广泛的关注。这种SQUID拥有较大的Stewart-McCumber参数βc,能够提供比较大的磁通-电压传输函数(e)V/(e)Φ,因此可不需要附加反馈电路而与前放直接相连,使得其能搭建更为简单的SQUID系统。该思想为我们开辟了一个领域,也是本文工作的主要兴趣:研究SQUID动力学特性与不同βc之间的关联。  首先,基于RCSJ模型对不同βc的SQUID进行数值仿真,研究其动力学行为如I-V、V-Φ特性以及SQUID本征噪声随βc的变化。在仿真中,我们分别通过改变结电容C和旁路电阻R来得到一个大范围变化的βc,同时也对比了这两种途径对SQUID性能影响。结果给出了大旁路电阻具有较大(e)V/(e)Φ的原因,同时发现,具有小的结电容(或结面积)的SQUID具有更加优越的性质,例如在给定的βc下,可以降低SQUID本征噪声以及进一步提升(e)V/(e)Φ。实验上,我们在电流偏置下测量了大量的具有不同βc的SQUID器件的特性曲线和特性参数,与仿真结果基本一致。同时,在βc兰20时,伴随着SQUID本征噪声,我们仍没观察到回滞现象。结合电阻热噪声抑制回滞的机理,将SQUID中的附加噪声用一个有效噪声温度T*表征。一般T*大于SQUID实际工作温度4.2 K,导致了一个更大的有效圆拱系数Γ*,从而导致了回滞的更晚出现。  通常有两种方式为SQUID提供偏置,即电流偏置和电压偏置。我们实验上验证了这两种不同偏置对SQUID本征噪声以及前放噪声贡献来说没有本质区别。对于过阻尼SQUID(βc≈0.25),APF和NC被用来提高(e)V/(e)Φ,对比发现,APF降低了线性磁通范围,但是在其他方面与NC一致。对于欠阻尼SQUID(βc≈3),我们人为的外加了一个电阻Rs来旁路该SQUID,发现SQUID参数,如(e)V/(e)Φ,动态电阻Rd随着Rs的减小而减小,但SQUID本征噪声保持不变。此外,Rs还可用来阻尼βc>>1的SQUID的回滞(电流偏置)和振荡(电压偏置)现象。  为了在直读电路中测到过阻尼SQUID(βc<<1)器件的本征噪声(典型值在1μΦ0/√Hz量级),我们使用了电压反馈电路(VFC)来提高(e)V/(e)Φ,同时分析和优化了其噪声贡献。为了简化分析,我们将SQUID工作在电压偏置模式下。VFC支路中的电阻热噪声贡献δΦR与前放噪声δΦpreamp相互独立,且不能被忽略,因此来自读出电路的总噪声δΦreedout为这两者之和,即δΦreadout2=δΦpreamp2+δΦR2。对于假定的SQUID参数,我们模拟计算了δΦreadout与VFC参数的依赖关系,并实测了三个铌膜SQUID验证了这一分析。这种经优化的读出方案可实现与two-stage读出电路相当的低噪水平,我们将这两种读出方案对同一SQUID进行测试并对比,证实了上述结论。  论文最后对本文的工作做了总结并对下一步工作进行了展望。  
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