该论文由三部分组成：纳米GaSb半导体颗粒膜的Raman及荧光特性、TiO<,2>-Mn(Co)-TiO<,2>三明治薄膜的磁学及光学性质及Mg<,1-x>Al<,x>B<,2>新型超导体的结构和物性.一、对纳米GaSb颗粒膜的Raman特征作了深入的研究，提出界面应力模型，用声子限域和张应力理论解释了纳米GaSb颗粒膜所产生的较大的Raman红移.分析研究了纳米GaSb颗粒膜用不同波长激发时的Raman谱特征，发现随着激发波长增加，Raman峰向高波数移动，用纳米振子模型解释了这一现象.用Jobin-Yvon光谱仪分析测量了纳米GaSb颗粒膜10K的光致发光谱.结果表明：与相应体材半导体的低温光致发光比较，纳米GaSb颗粒膜10K的光致发光峰发生了蓝移，用量子限域效应解释了这一现象.进一步对发光谱作了分解拟合，认定纳米GaSb颗粒膜的光致发光峰是由于带间跃迁引起的.二、首次交替使用射频反应磁控溅射法与直流溅射法制备出TiO<,2>-Mn(Co)-TiO<,2>三明治纳米复合薄膜.（1）用X射线衍射仪、透射电子显微镜对TiO<,2>薄膜、TiO<,2>-Mn-TiO<,2>三明治薄膜及TiO<,2>-Co-TiO<,2>三明治薄膜的结构、形貌作了分析研究.三、用真空固相反应法成功地制备出一系列Mg<,1-x>Al<,x>B<,2>(0≤x≤1)试样.（1）用X射线衍射数据分析研究了Mg<,1-x>Al<,x>B<,2>的晶胞参数随Al含量的变化.用透射电子显微镜观察分析了Mg<,1-x>Al<,x>B<,2>的形貌、晶相结构等.结果发现，在x=0.5附近，Mg<,0.5>Al<,0.5>B<,2>内存在超晶格相.用四探针法、SQUID等测量了Mg<,1-x>Al<,x>B<,2>材料的超导电性.结果发现，随着Al含量的增加，超导转变温度减少.在Mg<,0.5>Al<,0.5>B<,2>超晶格相，超导转变温度约为12K.（2）用Raman谱仪分析研究了Mg<,1-x>Al<,x>B<,2>的Raman散射峰随Al替代的变化.结果表明：随着Al含量的增加，Raman峰向高波数移动.在x=0.5，即Mg<,0.5>Al<,0.5>B<,2>超导超晶格附近，出现一个尖锐的Raman散射峰，这表明此时原子的排列有序化.（3）用VG ESCALAB MK II光电子能谱仪对Mg<,1-x>Al<,x>B<,2>的Mg2p、Al2p及B1s的芯态能级作了测量分析，发现Mg2p、Al2p在x=0.5，即Mg<,0.5>Al<,0.5>B<,2>时出现极大值;而B1s则在此处出现极小值，这一值正好与Mg<,0.5>Al<,0.5>B<,2>超导超晶格相对应，这一现象可用位移模型给予解释.