射频前端组件中低噪声放大器(LNA)位于通信接收系统的核心,是典型的强电磁辐射场微波(HPM)“前门”攻击的主要对象,因此对于射频组件前端强电磁辐射场效应预测方法与建模研究具有十分重要的现实意义。本文旨在对低噪声放大器进行强电磁辐射场微波脉冲效应理论分析与仿真建模试验研究,进一步的了解与掌握强电磁辐射场微波脉冲对低噪声放大器的作用过程和效应机理,为射频前端组件在强电磁辐射场环境下提供技术基础与支持。本课题首先详细阐述了试验的国际背景与意义,接着阐述了射频前端效应的研究现状;对低噪声放大器进行了电路设计且以该电路进行结构上的搭建,完成了低噪声放大器初步模型,最后对模型进行深层加工与调试,完成好的LNA进行性能指标的对比,结果符合性能指标;分析研究不同类型的强电磁脉冲的波形、频谱、电磁脉冲能量;重点研究射频前端低噪声放大器的电磁薄弱环节,总结引起低噪声放大器失效的原因;对射频前端低噪声放大器进行了强电磁脉冲场效应模拟计算,总结强电磁脉冲的脉宽、功率、能量等参数对射频前端产生的效应规律。在射频前端低噪声放大器效应仿真试验中,论文利用辐照试验方法,进行射频前端电路的模拟效应计算;最后,针对低噪声放大器辐照试验结果与电路模拟数据对比分析,得到了低噪声放大器在强电磁脉冲环境中场效应与仿真模拟结果具有一致性,强电磁脉冲波的脉宽、功率等参数的改变都会影响,证明强电磁脉冲场效应仿真方法有效性;当试验中辐照强度在一定的情况下,研究表明低噪声放大器的增益压制时间会达到饱和值,尤其是在脉宽为150 ns-250 ns时,饱和现象十分明显,增益压制时间几乎保持一个定值,不随脉宽的变化而变化。最后,本文对低噪声放大器晶体管进行机理分析,研究集电极电流、基极电压、偏执电容等受强电磁脉冲的影响,给出了定性分析并做简要探讨。