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用于硅基铁电电容器集成的Ni-Ti、Ni-Al阻挡层研究

被引量 : 1次 | 上传用户：zj770929

【摘 要】

：

采用磁控溅射法(magnetron sputtering),室温下在Si(001)基片上制备了可用于铁电存储器集成的导电阻挡层Ni-Ti、Ni-Al以及电极La0.5Sr0.5CoO3薄膜,采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)制备了Pb(Zr0.4Ti0.6)O3铁电薄膜,构造了La0.5Sr0.5CoO3/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/ La0.5Sr0.5CoO3/Ni-Ti/Si (LSC

【作 者】

：

闫小兵 

【机 构】

：

河北大学

【发表日期】

：

2008年06期

【关键词】

：

Ni-Ti Ni-Al 导电阻挡层 铁电电容器 磁控溅射 溶胶-凝胶 

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采用磁控溅射法(magnetron sputtering),室温下在Si(001)基片上制备了可用于铁电存储器集成的导电阻挡层Ni-Ti、Ni-Al以及电极La0.5Sr0.5CoO3薄膜,采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)制备了Pb(Zr0.4Ti0.6)O3铁电薄膜,构造了La0.5Sr0.5CoO3/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/ La0.5Sr0.5CoO3/Ni-Ti/Si (LSCO/PZT/LSCO/Ni-Ti/Si)和La0.5Sr0.5CoO3/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3

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