AlN是一种重要的第三代半导体材料，它具有宽带隙、高热导率、高热稳定性、低电子亲和势、低介电常数及高压电响应等优良的物理化学性质，其一维纳米材料在场发射、光电子器件方面具有潜在应用前景。人们已发展了氯化物辅助生长方法、碳纳米管模板法、电弧放电法、直接氮化铝粉法等多种方法，制得了各种形貌的AlN一维纳米结构如纳米线、纳米带、纳米管、纳米锥等。其中，AlN纳米锥具有锐利的尖端和大的长径比，是一种优良的场发射材料，可望在真空微电子器件、场发射平板显示器中获得应用。目前，AlN基纳米冷阴极的研究尚处于实验阶段，距离实际应用还有较大的差距，主要难点有:(1)其生长温度高，难以直接沉积在ITO玻璃上，限制了其在平板显示器中的实际应用;(2)其导电性较差，不利于电子在材料内部的传输及在表面的发射。针对上述问题，本文研究了AlN纳米锥的低温制备，初步探索了AlInN三元合金纳米结构制备与成分调控，取得以下研究结果:　　1.在前期工作基础上改进实验条件，发展了在常压、低温下(＜600℃)制备AlN纳米锥阵列的方法，在500℃时仍可制得AlN纳米锥准定向阵列，低于文献报道的最低合成温度。低温合成的纳米锥的尖端直径为～10nm，长度为～200 nm，具有较好的场发射性能。该方法为在ITO玻璃上低温沉积AlN基纳米冷阴极材料提供了基础。　　2.通过AlCl3、InCl3和NH3的化学反应，首次制得了AlInN三元合金的一维纳米结构，且实现了AlxIn1-xN合金纳米线在0.88＜x＜1范围内的成分调控。在600～700℃沉积温度下，产物中In含量随InCl3气化温度升高呈先增加后减少的趋势;沉积温度为700℃时AlxIn1-xN合金纳米结构的组成可在0.95＜x＜1内调变，沉积温度为650℃时AlxIn1-xN合金纳米结构的组成可在0.93＜x＜1内调变，沉积温度为600℃时AlxIn1-xN合金纳米结构的组成可在0.88＜x＜1内调变;随着沉积温度下降，能形成合金纳米线的最大In含量逐渐增加，当超过该范围时，一维纳米结构产物中会发生相分离。