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硫化镉(CdS)室温下的禁带宽度为2.4eV,是探测可见光的重要半导体材料之一,其独特的光电学性质及广泛应用前景引起了科技工作者的极大兴趣。伴随着纳米技术的快速发展,针对CdS纳米结构的合成与性质研究越来越深入,同时,基于CdS纳米器件如光电二极管、传感器和场效应管及逻辑电路等的研究也备受关注。本文系统地研究了磷掺杂CdS纳米带场效应管的电学及光学的性能。首先,采用热蒸发的方法,合成磷掺杂CdS纳米带。然后制备出基于CdS:P纳米带的普通结构场效应管,并对其电学性能进行分析研究。随后,采