低介电常数聚酰亚胺薄膜制备与性能研究

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随着超大规模集成电路(ULSI)器件集成度的提高,信号容阻(RC)延迟、串扰以及能耗等问题也日益凸显出来,亟需开发新型低介电常数(low-k)材料解决上述问题。在聚合物基体中引入电负性基团以及纳米微孔可以有效降低材料的介电常数。本文研究了以聚酰亚胺为基体的低介电常数材料。本实验研究了具有纳米微孔结构的含氟聚酰亚胺制备方法及其性能。分别以ODA-PMDA和的3FEDAM-6FDA为单体,在溶剂N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)中,采用原位聚合法合成SiO2/聚酰亚胺(PI)复合薄膜。用氢氟酸刻蚀
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