【摘 要】
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Cd1-xZnxTe晶体具有优异的光电性能。当x=0.04时，它是红外探测器材料Hg1-yCdyTe的理想外延衬底；当x=0.05～0.5时，它被用来制作高性能室温X射线及γ射线探测器。同时，也可用于光电调
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Cd1-xZnxTe晶体具有优异的光电性能。当x=0.04时，它是红外探测器材料Hg1-yCdyTe的理想外延衬底；当x=0.05～0.5时，它被用来制作高性能室温X射线及γ射线探测器。同时，也可用于光电调制器以及薄膜太阳能电池等。特别是采用高阻值Cd0.9Zn0.1Te晶体制备的X射线及γ射线探测器可进一步降低漏电流，提高能量分辨率。同时因其机械强度好、热稳定性好，近年来引起了人们广泛的关注。 采用ACRT-Bridgman法生长出Cd0.96Zn0.04Te及Cd0.9Zn0.1Te晶体，并测试了Cd0.9Zn0.1Te晶体的光学及电学性能。根据测试结果，发现为了满足高性能X射线及γ射线探测器的要求，必须对晶体进行后续处理以提高其性能。 采用三种工艺，对Cd0.9Zn0.1Te晶片进行了退火改性。并对比分析了经过三种工艺处理后晶片红外透过率、成分均匀性、杂质含量及电阻率的变化。从中找到了一种实用可靠的工艺。采用该工艺，降低了Cd0.9Zn0.1Te晶片中的杂质含量，均匀化了晶片的成分分布，使晶片的红外透过率提高到了60％以上。尤为重要的是，经过该工艺处理后，晶片的电阻率提高了2～3个数量级，达到1010Ωcm以上，满足了X射线及γ射线探测器对材料性能的要求。
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