基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide, SIW)平衡滤波器不仅具有高品质因数、高功率容量、尺寸小、重量轻、易集成等优点,同时对环境噪声具有高免疫性,近几年已被广泛应用在实际工程中,具有极高的应用价值。交叉耦合技术是一种常用的改善滤波器性能的设计技术,通过在通带两侧引入传输零点对提高滤波器的选择性起到明显的效果。本文将交叉耦合技术应用到SIW平衡滤波器之中,设计了多款基于SIW结构的具有高选择性、高共模抑制特性的单通带和双通带平衡滤波器。本文首先介绍了SIW一些基本理论及几种典型的平衡滤波器结构,在此基础上设计了一款基于SIW的K波段单通带平衡滤波器的结构,此滤波器性能优良但通带选择性较差,因此对此结构做出了改进。通过在上下金属表面蚀刻S型槽线,引入混合电磁耦合,在通带两侧各引入一个零点,提高了平衡滤波器的通带选择性,得到了一个具有高共模抑制、高选择性等特性优良的单通带平衡滤波器。在设计的高选择性单通带平衡滤波器基础上,提出了两种实现双通带平衡滤波器的方法。第一种方法通过增加非谐振腔体,在通带内引入可控零点实现双通带,由于增加了TE102模式,共模抑制特性得到显著提高；第二种方法则通过激励腔体的高次模来实现双通带,即使用腔体的TE102模和TE104模来构建滤波器的第二通带,并通过在腔体上金属面蚀刻对称槽线提高了共模抑制特性。两种高选择性双通带平衡滤波器的实测结果与仿真结果吻合度较高。