基于磁性隧道结的磁随机存取存储器原理与设计

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本文首先结合自旋相关隧道效应及磁性隧道结的介绍,系统论述了基于MTJ单元的MRAM的基本原理及其存在的问题.然后重点描述了微磁学模拟计算的方法,以及在MRAM中对其中MTJ存储单元的反磁化行为的微磁学计算研究的思路与方法,该研究结果表明矩形MTJ单元不适合于MRAM 中的应用,同时预示了椭圆形的MTJ单元将是一个更好的选择.在MRAM的优化设计方面,本文给出了计算MRAM中由位线及字线中的电流产生的写入磁场的解析表达,并据此描述了在给定MTJ单元性能前提下的优化设计写入电流参数及导线形状的思路和方法,同时给出了两个具有自主知识产权的MRAM结构与写入方法的设计方案.作为MRAM研究的前期工作,本文同时讨论了小规模两线制MRAM阵列的实验方案,及其电路实现.本文最后展望了MRAM研究的下一阶段工作中所需深入研究的几个主要问题.
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