氧化锌纳米结构的气相合成与表征

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【摘要】

：

ZnO作为一种新型的II-VI族直接宽禁带半导体氧化物材料，与GaN的禁带宽度和晶格常数基本相同，吸引了很多人的目光。ZnO是一种良好的光电转换材料，也是目前已知的唯一具有半导体和压电体双重特征的材料，在微纳电子器件方面具有广阔的发展空间，如在紫外激光器、光电探测器、电容器、太阳能电池、气体传感器、场发射显示器等诸多领域有着广泛的应用价值。研究者们利用多种方法制备了各种形貌的ZnO纳米材料，如纳米

【作者】

：

侯娟

【机构】

：

山东师范大学

【发表日期】

：

2012年04期

【关键词】

：

ZnO纳米晶须 ZnO纳米棒 Zn薄膜激光分子束外延系统化学气相沉积法光致发光

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