CdZnTe单晶生长技术研究及晶体成分偏析与缺陷分析

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采用ACRT(坩埚加速旋转)技术生长Cd<,0.09>Zn<,0.04>Te晶体,比较了ACRT法和常规Bridgman法对Cd<,0.09>Zn<,0.04>Te中Zn沿轴向偏析的影响,分析了晶体中缺陷的形成及晶粒分析.实验结果表明:ACRT过程的强迫对流在很大程度上消除了侧壁形核,有利于获得大晶粒的晶体.然而,ACRT过程的强迫对流提高了有效分凝系数k<,eff>,使Zn沿晶体轴向的偏析增大,并且对流强度愈高,偏析愈大.
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