酞菁材料是一类具有优异荧光、发色等多功能特点且环境稳定性好的有机材料,具有特殊环境下使用潜力,本文以空间环境应用为背景,以酞菁硅/聚丙烯腈(SiPcs/PAN)复合材料为研究对象,利用空间环境综合模拟设备进行了质子/电子辐照实验,并采用傅立叶变换红外光谱(FTIR)、X-射线衍射分析(XRD)、电子顺磁共振谱分析(EPR)、X射线光电子能谱仪(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)等分析测试方法系统研究了SiPcs/PAN复合材料荧光性能退化规律及损伤机理。研究结果表明SiPcs/PAN复合材料在715nm处存在强的光致荧光发射,其源于酞菁硅的大苯环共轭结构。该复合材料在质子/电子辐照后,荧光强度随辐照注量快速下降,但荧光峰的峰位、峰宽却不变,质子/电子辐照注量达到1E15cm-2时,荧光发射几乎湮灭,质子/电子综合辐照会使荧光性能下降,质子/电子综合辐照会使荧光性能下降更快,材料的损伤程度增加。对比辐照前后的结构分析表明;质子辐照、综合辐照的红外光谱的吸收峰、XRD图谱的衍射峰随辐照注量有序降低,说明辐照损伤材料的官能团及晶态有序性,电子辐照的红外光谱及XRD图谱变化不明显;XPS结果表明;带电粒子辐照后材料碳化趋势明显,氮含量降低,这主要是源于基体聚丙烯腈C≡N键的降解,这些结果表明,酞菁硅在带电粒子辐照条件下稳定性较好,大苯环共轭结构稳定。电子顺磁共振谱分析分析表明;带电粒子辐照能产生明显的热解碳自由基,且浓度随辐照注量的增加而明显增加。基于上述分析,自由基主要形成于聚丙烯腈中,在酞菁硅也存在自由基,由此确定,SiPcs/PAN复合材料荧光性能的下降主要是由于辐照自由基成为载流子的陷阱,这大大降低了光致荧光产率,自由基增加更进一步降低荧光强度。