F掺杂SnO2薄膜的电子输运性质研究

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F掺杂的SnO2(FTO)薄膜具有高的可见光透过率和优良的导电性,在太阳能电池以及平面液晶显示等诸多领域具有广阔的应用前景。多年来,人们分别从实验上和理论上对FTO展开了大量的研究工作。关于FTO薄膜高导电性和光学透过性起源的研究,主要是基于能带结构的计算,电子能带结构对材料的电输运特性至关重要。通过对FTO能带结构的计算,人们发现这类材料具有类自由电子的特性,而目前的实验研究,主要集中在改善制备条件,得到高质量的FTO薄膜上,对其电输运机制缺乏系统有效的研究。另外,材料的性能在很大程度上取决于其结
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