透明导电的氧化铟锡(ITO)薄膜是p型GaN的极佳的欧姆接触材料,在作为GaN欧姆接触材料的应用上,我们希望得到具有高可见光透过率及高导电性的ITO薄膜。ITO薄膜是掺锡氧化物,是一种高度简并的n型半导体材料,电阻率大约为2～4×10-4Ω.cm,它是一种宽带隙(3.3～3.4eV)的半导体材料,在可见光和近红外光区具有高的透过率,所以在诸多领域内得到了广泛的应用。近年来随着信息产业和半导体产业的兴起,平板显示技术获得了高速的发展,镀有ITO膜的透明导电玻璃作为平板显示器件的基础材料,和在LED芯片上ITO与p型GaN有较好的欧姆接触,使得ITO薄膜更加得到了人们的重视。因此,开展透明导电薄膜的制备方法及其特性研究,以获得高的导电性和高的可见光透过率的研究,有很好的实际意义。本论文针对ITO薄膜的膜厚和两种制备方法制备的ITO薄膜的性能进行研究,具体内容有:　　 首先本文用电子束蒸发方法在玻璃基片上选择合适的生长参数制备所需的ITO薄膜,研究了不同薄膜厚度对ITO薄膜的片电阻和光透过率的影响关系,结果发现,随着薄膜厚度的增加,片电阻值越来越小,而光透过率却随之降低,通过优良指数的评比,得出最佳的ITO膜厚理论值295nm,并在此厚度可测得较低的片电阻值和较高的光透过率。　　 其次采用电子束蒸发和磁控溅射方法在玻璃基片和单晶硅片上制备ITO薄膜,分别对样品进行了表面形貌、结构成分、附着力、片电阻和光透过率的测试。实验结果表明,磁控溅射制备的ITO薄膜表面较电子束蒸发制备的致密,表面较平整,并且磁控溅射制备ITO薄膜成分与原靶材成分一致,而电子束蒸发的ITO薄膜成分发生了改变,In/Sn比例变大；样品XRD测试表明两种方法制备的ITO薄膜都具有明显的(222)择优取向生长,并且磁控溅射方法制备的ITO薄膜此方向取向更加显著；经附着力测试磁控溅射制备的ITO薄膜与基片结合强度较大,附着力较高；片电阻测试表明样品经热处理后电子束蒸发样品片电阻值增大,而磁控溅射样品减小,且磁控溅射片电阻值较小；光透过率测试表明由于磁控溅射由于可以制作较薄的薄膜,故有较高的光透过率。　　 再次使用两种制备方法,选取最优参数条件在GaN外延片上制备的ITO薄膜,然后用光刻和蚀刻的方法制作LED芯片所需要的微图形,将ITO薄膜应用到LED芯片工艺中,直接对LED芯片进行性能测试分析知,350mA电流驱动时,磁控溅射样品有较低的工作电压3.18V和较高的光通量约17.7lm,封装蓝光lamp后达到较好的发光效率16 lm/W,比电子束蒸发样品高约9％,即磁控溅射制备的ITO薄膜综合性能比电子束蒸发制备的性能优越。