双有源桥（Dual Active Bridge,DAB）DC-DC变换器能够实现能量双向传输,且具有控制策略简单、传输效率高等优点,在新能源发电、储能和电动汽车等领域具有广泛应用。为进一步提高传输效率和功率密度,DAB变换器中H桥采用了具有高开关频率、高耐温耐压、低开关损耗特性的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,SiC MOSFET）器件。然而,SiC MOSFET极短的开关时间使开关特性容易受到寄生参数的影响,在开关过程中将产生电压电流过冲和振荡。同时,快速开关过程中H桥输出的高频方波电压具有较高的电压上升率,种种非理想因素导致方波电压含有大量高次谐波,引发系统中寄生参数构成的网络产生振荡现象,影响系统的稳定运行。目前,考虑寄生参数的DAB暂态振荡机理及其工作特性尚不明确,故本文针对DAB中开关器件及高频变压器（High-Frequency Transformer,HFT）寄生参数引起的暂态振荡问题与该条件下的工作特性进行研究。本文的具体研究内容如下:（1）研究了考虑寄生参数的SiC MOSFET开关特性和关键参数对开关特性的影响机理。基于对SiC MOSFET的开关暂态特性的分析,构建了考虑寄生参数影响下的开通电流和关断电压数学模型,分析了栅极驱动电阻、漏源电容、线路寄生电感等寄生参数对开关瞬态过程电压电流尖峰的影响规律,并通过构建考虑开关寄生电容的软开关谐振电路模型,推导得出了 DAB软开关的实现条件。（2）研究了考虑HFT寄生参数下的DAB高频振荡和参数影响机理。基于考虑寄生参数下DAB等效电路,推导出DAB内移相电感与HFT电路的等效阻抗,进而基于DAB等效电路,构建了 HFT寄生参数影响下系统暂态振荡过程的时域和频域数学模型,量化分析了开关暂态过程中,多种因素对HFT交流端口电压暂态振荡特性的影响规律,为DAB变换器的设计提供参考。（3）研究了寄生参数下HFT电压电流传输特性和DAB功率特性。在变压器高频等效电路模型的基础上,理论推导得到HFT的电压电流传递函数,分析了寄生参数对HFT电压电流传递特性的影响规律,基于稳态交流相量法分析考虑分布电容的DAB的功率传输特性;研究了不同背景谐波下有源桥变换器的交流母线电压的谐波分布,得到寄生参数下有源桥变换器交流母线的谐波特性。通过以上研究,明确了考虑寄生参数下双有源桥DC-DC变换器暂态高频振荡机理和参数影响机理以及寄生参数下变换器的工作特性,为变换器的优化设计与振荡抑制提供了理论参考,提高了变换器的运行可靠性。