巴楚隆起东段断裂构造变形与演化特征

来源 :中国石油大学(北京) | 被引量 : 0次 | 上传用户:sunj2009
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
巴楚隆起位于塔里木盆地中央隆起带西段,油气圈闭的形成与断裂关系密切,目前对东段边界断裂和三维区断裂的识别及其演化的研究还很薄弱,需要开展更深一步的研究。本论文基于近年新采集的三维地震资料和二维、钻井资料,运用油区构造解析理论,通过精细构造解析,在对巴楚隆起东段进行地震剖面解释和构造制图的基础上,研究了巴楚隆起东段断裂与和田河西、和田河东三维区断裂的几何学、运动学特征。巴楚隆起东段发育多种不同类型的断裂带和断裂相关褶皱构造,控制巴楚隆起主体变形的NW向、NWW向逆冲断裂带主要包括吐木休克基底卷入式压扭构造带、卡拉沙依基底卷入式压扭构造带、玛扎塔格复合构造带(浅层古近系滑脱逆冲推覆构造叠加深层基底卷入式逆冲断裂)、古董山复合构造带(浅层中寒武统滑脱逆冲推覆构造叠加深层基底卷入式逆冲断裂)。和田河西三维区主要发育沿中寒武统膏岩滑脱的NE走向的和田河5号逆冲断裂带和走滑断裂带;和田河东三维区发育近EW走向高角度断裂带和具走滑特征的NE走向断裂。分布在主干断裂带之间的NE走向小型断裂带基本上向下断入中下寒武统及基底,向上断至T46界面至第四系地层内。下部多发育有深部基底断层或反转断层;上部主要存在褶曲或单一高陡直立小断层两种剖面特征。通过断裂构造变形、断裂演化和编制平衡剖面,将巴楚隆起东段的断裂构造演化划分为5个阶段:加里东早期、加里东中期、加里东晚-海西早期、海西晚-印支期、喜山中晚期。加里东中期部分断裂构造控制沉积相带的发育;岩溶作用与断裂活动控制中下奥陶统缝洞储集体的发育;多期断裂活动控制圈闭形成和油气运聚。
其他文献
巴西橡胶树是天然橡胶的重要商业来源。天然橡胶是橡胶树乳管细胞内的次生代谢产物之一,其主要成分为顺式-1,4-聚异戊二烯。天然橡胶的合成主要是通过甲羟戊酸途径完成的。尽
石墨烯材料自2004年被发现以来,凭借其特殊的结构及优异的性能成为科学研究领域的热点材料。超高的透明度,优异的导电性及良好的机械韧性使其可替代传统的ITO材料,作为透明导电电极应用于各类有机光电器件中。在众多合成方法中,化学气相沉积技术可通过选择合适的催化基底和精细控制生长参数,制备出高质量、大面积的石墨烯薄膜。然而,石墨烯薄膜作为电极应用于有机光电器件中还需进一步的转移及图案化工艺,工艺要求保证
抗体在癌症治疗和免疫诊断中起着重要作用,抗体药物作为新一代抗肿瘤药物有着广阔的市场。目前,蛋白A亲和层析(Protein A affinity chromatography)是用于抗体纯化最常用的色谱
真空-固体绝缘被广泛应用于真空断路器、脉冲功率设备、高功率微波介电窗等真空设备上,聚合物因其良好的机械性能、卓越的电气性能和低廉的成本被广泛于真空-固体绝缘系统的
近年来,随着复合材料制备的快速发展,固-液间的润湿行为和界面特征成为研究焦点。异种材料之间的润湿行为和界面特征在材料制备和材料加工中至关重要,对复合材料界面结合力和性能影响显著,因此明确研究固-液间的润湿行为和界面特征对复合材料合成研究具有重大的科学意义和工程指导价值。鉴于此,本研究以Ti基非晶合金作为研究对象,阐明其与氧化铝之间的高温润湿行为及界面特征。本文中,首先探究温度、熔滴质量和保温时间对
H7N9禽流感病毒表面基因来自野禽H7和N9亚型病毒,内部基因来自家禽H9N2亚型病毒。自2013年出现了第一例人感染H7N9禽流感病毒后,目前我国已有27个省市、自治区和特别行政区确
在当前经济全球化加剧的大背景下,创新已成为企业生存和发展的不竭动力,也是企业应对多变的市场环境,在激烈竞争中立足的重要力量支撑。然而,国内外工作场所普遍存在的不文明行为正在悄无声息地恶化人际关系,不仅伤害着员工的心理健康,而且消极影响着员工的工作态度、工作积极性、工作绩效,甚至阻碍员工实施角色外行为。本文梳理了国内外学者们关于工作场所不文明行为、员工创新行为、知识共享和政治技能的相关理论及研究,结
中间包是炼钢生产流程的中间环节,具有承上启下的缓冲作用,其冶金功能十分重要,直接影响连铸坯的质量。现在广泛使用流动控制装置来改善中间包内的钢液流动行为以加强夹杂物
枝状结构普遍存在于自然界中,从雪花到树枝、从河床到闪电、从凝固过程到材料制备、从细胞增殖到裂纹发展,都能观察到枝状结构。形貌的相似性意味着其形成机制的内在联系。然
功率半导体器件承担着能量控制与功率转换的功能,在电力电子系统中具有至关重要的作用。高压横向MOS型功率器件因具有易于集成和控制等优点,广泛应用于高压功率集成电路(HVIC)。绝缘体上硅横向绝缘栅双极晶体管(SOI-LIGBT)因其电导调制效应带来的导通损耗低等优点,成为了业界研究的热点。然而,传统的高压SOI-LIGBT结构仍存在导通压降和开关损耗不够优化等问题,难以满足HVIC发展的需求。本文针