运用反对称分子化动力学(AMD)模型,我们研究了Xe+Sn系统在10-100A MeV能量范围下核阻止与入射能量的关系,并与INDRA的实验数据进行了对比。AMD模型下,能量范围为10-25A MeV时,我们的计算结果显示为完全核阻止,而实验上此系统在此能量范围内却是从完全核阻止开始下降。在能量范围为25-50A MeV时,模拟的AMD结果显示Xe+Sn系统核阻止的值快速下降并且在50A MeV能量时和实验值取得一致,并且这一下降趋势和实验的结果也一致。在能量大于50A MeV小于100A MeV的范围内,核阻止的大小基本保持在一个平稳的值,这意味着泡利阻止和核子-核子碰撞共同作用到核子-核子碰撞作为主要反应机制的过渡转变。通过不同的核物质状态方程(软的和硬的)以及不同的介质中核子-核子反应截面的运用,在不同能量范围内核阻止对这些参量有不同的敏感度,因此我们可以借助核阻止这一角度来研究核物质状态方程以及介质内核子-核子反应截面。当能量大于25A MeV小于100A MeV时,不同的核物质状态方程和不同的核子-核子反应截面都能影响核阻止的大小。另一方面,当能量小于25A MeV时,由于AMD模拟结果显示为完全核阻止,此时核阻止对核物质状态方程和核子-核子反应截面都不再敏感。一种可能原因是中心碰撞事例的选择在实验分析和我们的模拟分析中差别较大,但是就目前的分析结果显示,中心事例选择的差别并不是引起我们模拟结果和实验结果差异的关键原因。我们的这一AMD模拟结果意味着一些重要的反应机制没有在AMD模型中反应出来。