随着现代无线通信技术的飞速发展,微波电子器件日益趋向于小型化、轻量化和低成本,从而推动了全球范围内对新结构、新工艺、新材料的研究热潮。微带线作为单片微波集成电路中信号传输的主要载体,受到研究人员的广泛关注。局部基片集成人工介质(L-SIAD)结构中接地金属通孔的存在,使得微带线的分布电容增大,导致微带电路的特性阻抗减小、有效介电常数增加,进而减小微带线的宽度、缩短导波波长,有效地减小电路的尺寸。在低频小规模微带电路中,电路的损耗可忽略不计。但是随着频率的升高和电路规模的增大,电路中的总损耗会越来越大,进而对电路性能产生不可忽视的影响。本文首先介绍了微带线、局部基片集成人工介质(L-SIAD)的基本结构与特性,重点阐述了微带线中介质损耗、导体损耗的产生机理,推导了这两种损耗的计算公式。然后,文章提出了计算L-SIAD微带结构介质损耗和导体损耗的方法,并分别验证了两种方法的正确性,进而通过软件仿真,计算得到了L-SIAD结构介质损耗和导体损耗随各参数的变化情况。最后,本文介绍了L-SIAD结构在硅基集成电路和微波谐振腔中的应用。仿真计算了L-SIAD硅基集成电路的介质损耗和导体损耗,并讨论了L-SIAD结构对微波谐振腔的影响,分析了L-SIAD结构微带带通滤波器的频率特性。