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镍的硒化物是镍的硫族化合物中的重要一员,NiSe作为一种p-型半导体具有理想的2.0eV带隙,可以用于合成太阳能电池。并在电学、光学和磁性等领域具有广泛应用。镍的硫化物是潜在的锂离子电池电极材料,特别是单晶态的Ni3S2是很好的金属导体,在室温下的电阻率大约是1.8×10-5Ω·cm,从而缓解电子和锂离子的运输。半导体复合材料中各个组分的介电常数和能带隙不同,能够产生新的能带隙和电子能级,从而形成新的电子-空穴复合中心,载流子的复合路径改变,进而显示更强、更高的功能特性。特别是一维的多组分纳米结构,例如合金的纳米线和纳米棒相比于他们的单体化合物具有更加独特的性质。由于材料的组成、结构和形貌决定了他们的性质,因此,探索一些简单的方法来控制合成具有特定晶体结构和形貌的NiSe及其复合半导体材料具有重要的科学意义和实际应用价值。本论文采用普通的一锅溶剂热路线在Ni基片上大规模合成了规则的NiSe、Ni3S2和NiSe-Ni3S2复合纳米棒阵列。材料的生长机理研究表明,金属片被用作镍源,并提供金属离子的单向分散,从而导致一维纳米结构在基片上的垂直生长。研究了不同溶剂和表面活性剂对产物形貌和尺寸的影响,讨论了表面活性剂用量对纳米棒阵列的形貌影响。采用多种现代分析测试手段对所合成材料的组成、结构和形貌进行了详细分析,考察了NiSe-Ni3S2复合物中的三种元素在纳米棒中空间分布情况,结果证明NiSe-Ni3S2复合物是合金纳米异质结构,并进一步解释了NiSe-Ni3S2合金化合物的可能生长机理。对比研究了NiSe、Ni3S2和NiSe-Ni3S2合金化合物三种纳米棒阵列的磁学性质,结果表明,异质结构材料呈现出顺磁性行为,而且磁化强度介于NiSe和Ni3S2样品之间。讨论了三种纳米棒阵列在室温条件下的光致发光性质,探究了不同的原始反应比例(S/Se)条件下,NiSe-Ni3S2合金化合物紫外发光强度的变化情况,证实了合金材料的紫外发光强度可以通过向NiSe中掺杂Ni3S2而显著增强。