表面钝化技术作为半导体工艺中的重要环节已被广泛应用在了包括太阳能电池、集成电路等半导体器件的制造中。无机氧化物薄膜是半导体表面钝化技术研究的重点,工艺较成熟的有二氧化硅、氮化硅、三氧化二铝等。其中,由于三氧化二铝薄膜中存在大量的固定负电荷,因而非常适合做p型硅太阳能电池的表面钝化材料。为了能够在简易的条件下制备出氧化物薄膜,化学液相沉积氧化铝引起了人们极大的兴趣。在本文中,我们首先在p型硅衬底上使用化学液相沉积法(CLD)沉积了A1203薄膜。然后将沉积好的样品在不同的温度下退火,通过XRD、SEM等测试手段对薄膜的成分、晶体结构、表面形貌、厚度以及反射率等物理参数进行了研究。研究发现薄膜生长均匀,并且退火温度对薄膜的晶型很大影响；但是由于全反射效应的影响钝化后样品的反射率有所增加。最后使用C-V(电容-电压测试)、SPV(表面光伏普)等测试手段着重对氧化铝薄膜中的固定电荷密度A1203薄膜的钝化效果进行了分析。由于钝化膜中氧元素的含量较低导致使用化学液相沉积法可以在p型硅衬底上制备出的氧化铝薄膜中固定负电荷密度并不高。经高温退火以后薄膜中的固定负电荷密度会降低,而可动正电荷会增加,因而会降低薄膜的场钝化效果。SPV结果表明钝化后样品的载流子复合速率降低,说明钝化后载流子寿命增加。获得较好钝化效果的退火温度介于300-600℃之间,退火温度过高会引起钝化效果的衰退。