BVO铁电薄膜电容结构的制备与性能研究

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相对于传统的非易失性存储器,基于铁电薄膜的非易失性存储器具有功耗低,存取速度快,掉电数据不丢失等优点。锆钛酸铅(PZT)是最早的铁电存储器材料,已经被大量研究并做成商用的铁电存储器。但是由于PZT存在抗疲劳特性差,铅易对环境造成污染等缺陷,寻找性能更好,更加环保的铁电存储器材料来替代PZT薄膜的研究工作一直都在进行。近年来发现的像钽酸锶铋(SBT)、钛酸铋(BIT)等一系列具有铋系层状钙钛矿结构的铁电薄膜,具有良好的介电性质和抗疲劳特性成为了研究的热点。钒酸铋(Bi2VO5.5,简称BV
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