采用强烈塑性变形(SPD)方法尤其是等通道转角挤压(Equal-Channel Angular Pressing简称ECAP)制备块体超细晶/纳米晶材料具有清洁致密等优点而受到越来越多的关注。 本文在常温下以不同应变速率经Bc路径进行ECAP挤压成功地制备出纯铝及纯铜的超细晶材料。并发现随着应变速率增大，纯铝及纯铜的晶粒细化更加明显。 将经ECAP挤压后获得的纯铝饱和晶粒与相应等效应变速率下常规压缩变形～6％后产生的位错胞状组织比较发现，相同应变速率下两种组织的尺寸呈一定正比关系。由于纯铝层错能较高，晶粒细化以位错滑移机制为主。即首先在应力作用下发生位错增殖、缠结形成位错胞，随着位错在胞壁缠绕，位错胞壁逐步转化为亚晶界，进一步挤压使亚晶粒转化为大角晶粒，最终导致晶粒细化。另外位错胞的形成是运动位错相互缠结阻塞的结果，如果运动位错在某运动距离范围内不遇到别的位错或其它障碍，则可自由运动，我们认为可以将各个位错在遇到其它位错之前自由运动的平均距离称为位错运动自由程。因此位错运动自由程决定了位错胞的尺寸而最终决定晶粒细化的程度，并且该结论在本实验中也得剑进一步证明。此外实验结果表明，位错运动自由程与应变速率有关，