玻璃衬底ZnMgO/ZnO纳米材料的制备及性能研究

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【摘要】

：

氧化锌(ZnO)是一种宽带隙半导体化合物材料,室温下的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能达到60meV,化学性质稳定,材料类型丰富,通过掺杂具有较好的光电性能。氧化镁(MgO)有很大的能隙宽度(约为7.78 eV) ,而且Mg的离子半径为0.057nm与Zn的离子半径0.06nm非常接近。Mg掺杂ZnO能使纳米材料的禁带宽度在3.37～7.78eV之间连续可调,可制得覆盖从蓝光到紫外光谱区域半导体

【作者】

：

谭绪卫

【机构】

：

湘潭大学

【发表日期】

：

2011年06期

【关键词】

：

化学气相沉积法微纳米球纳米棒帯梳氧化锌

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