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Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基新型稀磁半导体的磁电性质研究
【摘 要】
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兼具磁性和半导体特性的稀磁半导体在自旋电子领域有广泛的应用前景,与传统的Ⅱ-Ⅴ族和Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体相比,Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基新型稀磁半导体能够实现自旋和电荷注入机制的分离,且磁性离子的固溶度不受限制,这为研究稀磁半导体提供了新方向,也为制备居里温度高于室温的材料和研究磁性来源机理提供了可能。本文首先采用第一性原理计算方法,对不同浓度Mn掺杂LiMgN、Ag-Cr共掺LiZnP和不同浓度Mn/Cr掺杂L
【机 构】
：
重庆师范大学
【出 处】
：
重庆师范大学
【发表日期】
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2019年01期
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