现代科学技术的飞速发展,对片式元器件的需求量不断增多,而片式元器件中的电极多为贵金属Pd,占据了元器件成本的一半以上,因此为了降低成本,用贱金属Ni、Cu代替贵金属,目前成为国内外研究的热点。本研究采用滴入化学法和真空热处理法在贱金属Ni表面包覆一层具有保护作用的Ag,制备包覆型Ag/Ni双金属粉,经过扫描电子显微镜的微观形貌观察,XRD图谱分析,粒度测试以及TG试验研究,并制成电极用于压电元器件,得出了以下结果: 制备包覆型双金属粉的最佳工艺为:ag、Ni比值2:1;热处理温度500℃;热处理时间5h。Ag、Ni比值对包覆粉的包覆效果起着决定性作用,但是Ag、Ni比值相同的包覆粉,随着热处理工艺的不同其包覆效果有很大差别,说明真空热处理能够提高包覆粉的包覆效果。 实验制备的包覆粉,其大气下抗氧化温度在850℃以上,能够满足大气下高温烧结的要求。且包覆粉电极与Ag、Ag/Pd、Ag/Cu电极相比较,包覆粉电极在长期的使用中对元器件介电性能的影响,仅次于Ag/Pd电极而比Ag、Ag/Cu好。Ag/Ni包覆粉电极能够满足元器件的性能要求。 采用滴入化学法包覆金属粉,可控性高,包覆层比较致密,经真空热处理后形成了致密均匀的包覆层,具有较高的抗氧化性。Ag/Ni在压电陶瓷中的扩散速率比Ag/Pd的慢,比Ag/Cu、Ag快,是其抗迁移能力的本质。