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本文论述了ZnO的晶体结构和特性，低维ZnO材料制备方法及发展现状。采用平均粒径分别为200nm和20nm的ZnO粉末为原料，在不采用任何催化剂条件下通过控制合成温度和时间等工艺参数，分别采用915MHz和2450MHz微波加热法固相合成了一维棒状、多针状、一维六方柱状、六方微米管状ZnO材料，并研究了其合成工艺，通过XRD，SEM表征显示：线状、棒状、管状ZnO晶须都有较好的结晶度，线状和棒状ZnO晶须直径均匀，形貌规则。根据微波场加热的特点与ZnO晶体的极性生长特性，初步研究了不同形貌的ZnO晶须的生长过程，研究表明，晶须的生长机理为固-气生长：高温区的ZnO粉末蒸发成为ZnO气体，在低温区Zn蒸气和O2重新结合发生化学反应形成固相ZnO沉积在气—固界面形核长大，在不同的工艺条件下合成形貌不同的晶须（棒状、针状、柱状）；当温度足够高时，氧空位集中点变成“蒸发源”，形成微米管。室温光致发光谱测试表明晶须具有一定的紫外发光性能，同时晶须中出现氧空位等缺陷。采用波导法，用Agilent N5230A型矢量网络分析仪对ZnO纳米粉、微米粉、棒状晶须的微波电磁性能进行了分析。结果显示：同ZnO纳米粉、微米粉相比，棒状ZnO晶须在11GHz左右具有更强的微波吸收特性。以Si（111）为基片，采用PLD方法以陶瓷ZnO靶在有氧的气氛下，通过正交实验法控制激光能量、基片温度、氧气分压、脉冲频率、沉积时间等工艺参数来研究ZnO薄膜生长的优化工艺，在150mJ脉冲能量、500℃基片温度、0.1Pa氧气压强、7Hz脉冲频率、60min沉积时间的PLD沉积工艺下获得的ZnO薄膜在379nm处出现了强的紫外带边发射峰，此时其XRD的（002）峰的半峰宽为0.275，具有高的薄膜质量。上述研究表明微波固相、PLD等外场制备方法能有效控制材料显微结构，其生产周期短、设备简单且能源消耗少、无污染，是一种适合当前社会发展需要的“绿色环保”的制备方法。